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銦鎵砷 InGaAs 微弱光相干接收模塊 800-1700nm AC-1.6G 筱曉光子針對(duì)光學(xué)相干檢測(cè)應(yīng)用研發(fā)了高速低噪聲模擬相干接收模塊。該svdc power coherent receiver module模塊內(nèi)部集成了高速低噪聲模擬光電平衡探測(cè)器以及高品質(zhì)光纖耦合器。制作過程對(duì)耦合器分光比以及長度進(jìn)行嚴(yán)格控制，從而進(jìn)一步提高共模抑制比。在相干接收基礎(chǔ)上，為進(jìn)一步提高光學(xué)信噪比，高信噪比

銦鎵砷 InGaAs 微弱光相干接收模塊 800-1700nm DC-100M 筱曉光子針對(duì)光學(xué)相干檢測(cè)應(yīng)用研發(fā)了高速低噪聲模擬相干接收模塊。該svdc power coherent receiver module模塊內(nèi)部集成了高速低噪聲模擬光電平衡探測(cè)器以及高品質(zhì)光纖耦合器。制作過程對(duì)耦合器分光比以及長度進(jìn)行嚴(yán)格控制，從而進(jìn)一步提高共模抑制比。在相干接收基礎(chǔ)上，為進(jìn)一步提高光學(xué)信噪比，高信噪比相

熱釋電能量探測(cè)器 PEM HiRep 這些傳感器采用薄金屬（MC）或黑色吸收（BC）涂層，可加快向傳感元件的熱傳遞，z高重復(fù)率可達(dá) 5000 次 / 秒以上。MC 型傳感器的光譜特性在可見光（VIS）和近紅外（NIR）區(qū)域表現(xiàn)平坦，但對(duì)于較長波長需考慮其吸收特性；BC 型探測(cè)器的吸收特性從紫外（UV）到紅外（IR）區(qū)域均極為平坦，主要適用于單波長場(chǎng)景。兩種 MC 型傳感器的金屬涂層在紫外區(qū)的穩(wěn)定性

900~1700nm雪崩式光電探測(cè)器（APD） DC~50MHz（砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb） 銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的APD之外，還提供具有可變?cè)鲆?即M因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/p>

InGaAs 銦鎵砷單元探測(cè)器 0.9-1.7um SWIR-Ⅱ型 光敏面直徑：1mm；規(guī)模：?jiǎn)卧徊ǘ危?.9-1.7um； 峰值波長：1.55 um；峰值量子效率：≥90%